部分作品1.图片作品3：国家稿动图作品药物分子结合XP粒子服务项目1、论文插图、封面图绘制。

（a，布新b）不同Nb掺杂浓度下，ON态和OFF态的I-V曲线。型电写入的信息预计可在室温稳定保持约100年。

特别是，力系该存储器还由于铁电势垒中畴的可连续翻转特性能实现电阻的连续调节，力系而且这一忆阻特性可用于构建超快的人工突触器件，从而用于发展超快人工神经网络存算一体系统。展蓝征求图2铁电隧道结室温超快阻变特性。皮书图5不同Nb掺杂浓度的影响。

在前期研究基础上，国家稿近日，国家稿该团队在超快忆阻器研究中取得重要进展，基于铁电隧道结量子隧穿效应，实现了具有亚纳秒阻变的超快存储器原型，并可用于构建存算一体人工神经网络，该成果以Sub-nanosecondMemristorBasedonFerroelectricTunnelJunction为题在线发表《自然通讯》杂志上（Nat.Commun.）。（a，布新b）不同振幅的脉冲电压下，隧道结电阻以及相关的铁电翻转比例随脉冲时间的调控。

型电一个存储单元具有32个非易失阻态。

写入电流密度4×103A/cm2，力系比目前其他新型存储原理低约3个量级。最终通过孪晶极附近零应变孪晶的形核及生长，展蓝征求Σ27分解成另外两个Σ3孪晶界并形成五重孪晶结构（figure6-D~I）。

皮书Figure.10诱导的MG能量的变化（a）回春态Zr64.13Cu15.75Ni10.12Al10非晶合金在变形前后的DSC和驰豫焓曲线。Zr64.13Cu15.75Ni10.12Al10非晶合金在最初变形阶段（5%）表现出显著的加工硬化，国家稿伴随着硬度升高和能量的降低，以及结构的有序化。

另外有研究指出，布新纳米晶的尺寸软化可能与材料的制备有关。型电（E和F）孪晶界的迁移[7]。